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onsemi FDG6322C MOSFET

訂貨號：FDG6322C 品牌：安森美_Onsemi

庫存數(shù)量：10 品牌屬性：進口

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增強模式雙 MOSFET， Fairchild Semiconductor

增強模式場效應(yīng)晶體管使用了 Fairchild 的專利高單元密度的 DMOS 技術(shù)進行生產(chǎn)。這種密度非常高的工藝設(shè)計用于盡量減小通態(tài)電阻，提供耐用可靠的性能和快速切換。

半導(dǎo)體 MOSFET 晶體管，半

在半自動模式下， MOSFET 器件的組合相當龐大，包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業(yè)標準和耐熱增強型封裝中。
在半 MOSFET 上，可提供卓越的設(shè)計可靠性，從降低的電壓峰值和過沖，到降低接點電容和反向恢復(fù)電荷，以及消除額外的外部組件，從而使系統(tǒng)保持較長的運行時間。

屬性	數(shù)值
通道類型	N，P
最大連續(xù)漏極電流	220 mA，410 mA
最大漏源電壓	25 V
封裝類型	SOT-363 (SC-70)
安裝類型	表面貼裝
引腳數(shù)目	6
最大漏源電阻值	1.9 Ω、7 Ω
通道模式	增強
最小柵閾值電壓	0.65V
最大功率耗散	300 mW
晶體管配置	隔離式
最大柵源電壓	-8 V、+8 V
晶體管材料	Si
長度	2mm
典型柵極電荷@Vgs	0.29 nC @ 4.5 V，1.1 nC @ 5 V
寬度	1.25mm
最高工作溫度	+150 °C
每片芯片元件數(shù)目	2

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