SUPERFET III MOSFET 是 ON Semiconductor 的全新高電壓超接合 (SJ) MOSFET 系列，利用電荷平衡技術實現出色的低接通電阻和更低的柵極電荷性能。這種先進的技術專門用于最大限度地降低傳導損耗，提供卓越的切換性能，并能承受極端的 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET Easy Drive 系列有助于管理電磁干擾問題，更易于設計實施。
TJ = 150 °C 時為 700 V
超低柵極電荷（典型 Qg = 18 nC）
低有效輸出電容（典型 Coss(eff.) = 173 pF）
優化的電容
內部柵極電阻：1 Ω
典型 RDS（接通）= 310 m?
優點：
低溫運行時系統可靠性更高
低切換損耗
低切換損耗
更低的峰值 VDS 和更低的 VGS 振蕩
應用：
計算
消費品
工業
最終產品：
筆記本電腦/臺式電腦/游戲控制臺
電信/服務器
LCD/LED 電視
LED 照明/鎮流器
適配器
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 10 A |
| 最大漏源電壓 | 650 V |
| 封裝類型 | TO-252 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 360 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4.5V |
| 最小柵閾值電壓 | 2.5V |
| 最大功率耗散 | 83 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±30 V |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 寬度 | 6.22mm |
| 長度 | 6.73mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 18 nC @ 10 V |
