此 hex場 效應(yīng)功率 mosfet 利用最新的處理技術(shù)、在每個硅片區(qū)域?qū)崿F(xiàn)極低的接通電阻。此設(shè)計的其他特點(diǎn)包括 175°c 結(jié)點(diǎn)工作溫度、快速切換速度和改進(jìn)的重復(fù)雪崩
它無鉛
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 180 A |
| 最大漏源電壓 | 40 V |
| 封裝類型 | D2PAK (TO-263) |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 0.0037. Ω |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |