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SUPERFET III MOSFET 是 ON Semiconductor 的全新高電壓超接合 (SJ) MOSFET 系列，利用電荷平衡技術(shù)實現(xiàn)出色的低接通電阻和更低的柵極電荷性能。這種先進的技術(shù)專門用于最大限度地降低傳導(dǎo)損耗，提供卓越的切換性能，并能承受極端的 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET Easy Drive 系列有助于管理電磁干擾問題，更易于設(shè)計實施。

TJ = 150 oC 時為 703 V
低有效輸出電容（典型 Coss(eff.) = 300 pF）
超低柵極電荷（典型 Qg = 33 nC）
優(yōu)化的電容
典型 RDS（接通）= 159 m?
內(nèi)部柵極電阻：0.5 Ω
低切換損耗
低切換損耗
更低的峰值 VDS 和更低的 VGS 振蕩
應(yīng)用
電信
云系統(tǒng)
工業(yè)