on ON Semiconductor iii 系列 n 溝道 mosfet 是高電壓超結（ sj ） mosfet 系列、利用電荷平衡技術實現出色的低接通電阻和更低的柵極電荷性能。此先進 Advanced 技術可最大限度地減少傳導損耗、提供卓越的切換性能和耐受極端 dv/dt 速率。
連續漏極電流額定值為 24A
漏極到電源接通電阻額定值為 125mohm
超低柵極電荷
輸出電容中存儲的能量低
通過 100% 雪崩測試
封裝類型為 D2 - pak
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 24 A |
| 最大漏源電壓 | 650 V |
| 封裝類型 | D2-PAK |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 125 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4.5V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 晶體管材料 | Si |
