STMicroelectronics N 通道功率 MOSFET 利用 STripFET F7 技術，具有增強型溝道柵極結構，可產生非常低的通態電阻，同時還可減少內部電容和柵極電荷，實現更快，更高效的切換。
在市場上最低的 RDS (接通) 中
出色的 FOM (業績數字)
低 CRS/Ciss 比，提供 EMI 抗擾性
高耐雪崩性
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 95 A |
| 最大漏源電壓 | 80 V |
| 封裝類型 | PowerFLAT |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 6.5. Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4.5V |
| 每片芯片元件數目 | 2 |
