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SUPERFET III MOSFET 是 ON Semiconductor 的全新高電壓超接合 (SJ) MOSFET 系列，利用電荷平衡技術(shù)實現(xiàn)出色的低接通電阻和更低的柵極電荷性能。這種先進的技術(shù)專門用于最大限度地降低傳導損耗，提供卓越的切換性能，并能承受極端的 dv/dt 速率。因此， SUPERFET III MOSFET 非常適合各種功率系統(tǒng)，以實現(xiàn)小型化和更高的效率。SUPERFET III FRFET MOSFET 經(jīng)過優(yōu)化的主體二極管反向恢復(fù)性能，可消除額外的元件并提高系統(tǒng)可靠性。

TJ = 150 °C 時為 700 V
超低柵極電荷（典型值 QG = 62 常閉）
低有效輸出電容（典型值 Coss （有效） = 522 pF ）
優(yōu)化的電容
極佳的主體二極管性能（低 Qrr、堅固的主體二極管）
典型值 RDS （開） = 98 mΩ
低溫運行時系統(tǒng)可靠性更高
低切換損耗
低切換損耗
在 LLC 和相移全橋電路中具有更高的系統(tǒng)可靠性
更低的峰值 VDS 和更低的 VGS 振蕩
應(yīng)用
電信
云系統(tǒng)
工業(yè)
最終產(chǎn)品
電信電源
服務(wù)器電源
EV 充電器
太陽能/UPS