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      STMicroelectronics STB18NM60ND MOSFET

      訂 貨 號:STB18NM60ND      品牌:Tronics

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價:¥0.00

      環(huán) 球 價: 登陸后可查看

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      STMicroelectronics STB18NM60ND MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      N 通道 FDmesh? 功率 MOSFET,STMicroelectronics

      MOSFET 晶體管,STMicroelectronics


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 13 A
      最大漏源電壓 600 V
      封裝類型 D2PAK (TO-263)
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 3
      最大漏源電阻值 290 mΩ
      通道模式 增強(qiáng)
      最大柵閾值電壓 5V
      最小柵閾值電壓 3V
      最大功率耗散 130 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 -25 V、+25 V
      寬度 8.95mm
      典型柵極電荷@Vgs 34 nC @ 10 V
      長度 10mm
      最高工作溫度 +150 °C
      每片芯片元件數(shù)目 1
      晶體管材料 Si
      暫無

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