這款 N 通道 MV MOSFET 采用 ON Semiconductor 的先進(jìn) PowerTrench? 工藝生產(chǎn)，該工藝內(nèi)置了屏蔽柵極技術(shù)。此過(guò)程已經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可最大程度降低導(dǎo)通電阻，同時(shí)使用同類(lèi)最佳的軟主體二極管保持優(yōu)異的切換性能。

VGS = 10 V、ID = 222 A 時(shí)，最大 RDS（接通）= 2.3 mΩ
功率密度和屏蔽柵極
適用于極低 RDS（接通）的高性能通道技術(shù)
高功率密度，帶屏蔽柵極技術(shù)
反向恢復(fù)電荷 Qrr 極低
低 Vds 尖峰內(nèi)部阻尼函數(shù)。
柵極電荷 QG 低，為 108 nC（典型值）
低切換損耗
出色的電源和電流處理能力
低 Qrr/Trr
軟恢復(fù)性能
良好的 EMI 性能
適用于 ATX/服務(wù)器/工作站/電信 PSU/適配器和工業(yè)電源的同步整流。
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和不間斷電源
微型太陽(yáng)能變頻器
服務(wù)器
電信
計(jì)算（ATX、工作臺(tái)、適配器、工業(yè)電源等）
電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器
不間斷電源