產(chǎn)品分類 
         
         
        
         
      
       
      
     
      
   
      
      
       
    
    

   
      
     
      
        
      
         
      
         
      分類：
               
       工業(yè)電氣產(chǎn)品    工業(yè)控制產(chǎn)品    傳感測量產(chǎn)品    儀表工具產(chǎn)品    工業(yè)電子產(chǎn)品    機械設備產(chǎn)品   
      
         
      
       
      
       
      
         
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      onsemi FDMC7660S MOSFET
      
                  
      
                  
      
                      
       訂  貨 號：FDMC7660S        品牌：安森美_Onsemi
      
                      
       庫存數(shù)量：10                    品牌屬性：進口
      
                      
       品牌商價：￥0.00 
      
                      
       環(huán) 球 價：
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      公司基本資料信息
      
   



      

      



      

      
          
   
        
      
        
      
     
      
      
      
           
      
                
        
                   
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      • 產(chǎn)品介紹 
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      • 產(chǎn)品屬性
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      • 產(chǎn)品評價（0）
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               onsemi FDMC7660S MOSFET
      產(chǎn)品詳細信息
      

        
        
      

            
            
                
                    
                        
      PowerTrench? SyncFET? MOSFET，F(xiàn)airchild Semiconductor
      
                    
                
                
                
            
                
                
                
                    
      
                        
                            設計用于盡量減少功率轉(zhuǎn)換的損耗，同時保持極佳的切換性能
      高性能通道技術，RDS（接通）極低
      SyncFET? 得益于高效的肖特基主體二極管
      應用：同步整流直流-直流轉(zhuǎn)換器、電動機驅(qū)動器、網(wǎng)絡負載點低側(cè)開關 
                        
                    
      
                
            

            
            
      
                
            
      

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      
            
        
      

        
        
      

            
            

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      

            
            
                
                    
                        
      半導體 MOSFET 晶體管，半
      
                    
                
                
                
            
                
                
                    
      
                        
                            在半自動模式下， MOSFET 器件的組合相當龐大，包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業(yè)標準和耐熱增強型封裝中。
      在半 MOSFET 上，可提供卓越的設計可靠性，從降低的電壓峰值和過沖，到降低接點電容和反向恢復電荷，以及消除額外的外部組件，從而使系統(tǒng)保持較長的運行時間。
       
                        
                    
      
                
                
            

            
            
      
                
            
      

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      
            

            

            
        

      
            
      
                屬性
                數(shù)值
            
      
            
                
      
                    通道類型
                    N
                
      
            
                
      
                    最大連續(xù)漏極電流
                    100 A
                
      
            
                
      
                    最大漏源電壓
                    30 V
                
      
            
                
      
                    封裝類型
                    Power 33
                
      
            
                
      
                    安裝類型
                    表面貼裝
                
      
            
                
      
                    引腳數(shù)目
                    8
                
      
            
                
      
                    最大漏源電阻值
                    3.1 mΩ
                
      
            
                
      
                    通道模式
                    增強
                
      
            
                
      
                    最小柵閾值電壓
                    1.2V
                
      
            
                
      
                    最大功率耗散
                    41 W
                
      
            
                
      
                    晶體管配置
                    單
                
      
            
                
      
                    最大柵源電壓
                    -20 V、+20 V
                
      
            
                
      
                    每片芯片元件數(shù)目
                    1
                
      
            
                
      
                    寬度
                    3.3mm
                
      
            
                
      
                    晶體管材料
                    Si
                
      
            
                
      
                    長度
                    3.3mm
                
      
            
                
      
                    最高工作溫度
                    +150 °C
                
      
            
                
      
                    典型柵極電荷@Vgs
                    47 nC @ 10 V
                
      
            
        
      
             
      
              
              
              
              
              
              
            
      
            

            
      
          
      

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