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      onsemi NVMFS5H663NLT1G MOSFET

      訂 貨 號:NVMFS5H663NLT1G      品牌:安森美_Onsemi

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進口

      品牌商價:¥0.00

      環(huán) 球 價: 登陸后可查看

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      onsemi NVMFS5H663NLT1G MOSFET
      產(chǎn)品詳細信息

      汽車功率 MOSFET 采用 5x6mm 扁平引線封裝,設計用于緊湊型高效設計,包括高熱性能。可潤側(cè)翼選件可用于增強型光學檢驗。支持 MOSFET 和 PPAP,適用于汽車應用。

      體積小巧 (5 x 6 mm),可實現(xiàn)緊湊設計
      低 RDS(接通),可最大限度地減少傳導損耗
      低 QG 和低電容可最大限度地減少驅(qū)動器損耗
      支持 PPAP
      這些設備無鉛


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 67 A
      最大漏源電壓 60 V
      封裝類型 DFN
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 5
      最大漏源電阻值 10 mΩ
      通道模式 增強
      最大柵閾值電壓 2V
      最小柵閾值電壓 1.2V
      最大功率耗散 63 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 ±20 V
      最高工作溫度 +175 °C
      長度 5.1mm
      典型柵極電荷@Vgs 17 nC @ 10 V
      寬度 6.1mm
      每片芯片元件數(shù)目 1
      暫無

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