DiodesZetex 生產的雙 N 溝道增強模式 MOSFET，旨在最大限度地減小導通電阻 (RDS(ON)) ，同時保持卓越的開關性能，是高效電源管理應用的理想之選。這種環保器件完全不含鉛、鹵素和銻。此款 MOSFET 采用 U-DFN2020-6 封裝，0.6mm 離板高度使其是薄型應用的理想之選。具有切換速度快和效率高的特點。100% 無鉗位電感開關，確保更加可靠而穩健的終端應用
最大漏極-源極電壓 30 V 最大柵極-源極電壓 ±12 V 在 PCB 上的占地尺寸 4mm^2 柵極閾值電壓低 提供柵極 ESD 保護
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 6.5 A |
| 最大漏源電壓 | 30 V |
| 封裝類型 | U-DFN2020-6 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 6 |
| 最大漏源電阻值 | 0.03 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 1.7V |
| 每片芯片元件數目 | 2 |
