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SUPERFET III MOSFET 是 ON Semiconductor 的全新高電壓超接合 (SJ) MOSFET 系列，利用電荷平衡技術(shù)實現(xiàn)出色的低接通電阻和更低的柵極電荷性能。這種先進的技術(shù)專門用于最大限度地降低傳導(dǎo)損耗，提供卓越的切換性能，并能承受極端的 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET Easy Drive 系列有助于管理電磁干擾問題，更易于設(shè)計實施。

TJ = 150°C 時為 700 V
低溫運行時系統(tǒng)可靠性更高
超低柵極電荷（典型 Qg = 136 nC）
低切換損耗
低有效輸出電容（典型 Coss(eff.) = 1154 pF）
低切換損耗
優(yōu)化的電容
更低的峰值 VDS 和更低的 VGS 振蕩
典型 RDS（接通）= 35.4 mΩ
計算
電信
工業(yè)
服務(wù)器/電信
太陽能逆變器 / UPS
EVC