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      Toshiba TK33S10N1Z MOSFET

      訂 貨 號:TK33S10N1Z      品牌:東芝_Toshiba

      庫存數量:10             品牌屬性:進口

      品牌商價:¥0.00

      環 球 價: 登陸后可查看

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      Toshiba TK33S10N1Z MOSFET
      產品詳細信息

      汽車
      開關穩壓器
      電機驅動器
      低漏-源通態電阻:RDS(接通)= 8.2 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)
      低泄漏電流:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 100 V)
      增強模式:Vth = 2.0 至 4.0 V(VDS = 10 V,ID = 0.5 mA)


      屬性 數值
      通道類型 N
      最大連續漏極電流 33 A
      最大漏源電壓 100 V
      封裝類型 DPAK
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數目 3
      最大漏源電阻值 9.7 mΩ
      通道模式 增強
      最大柵閾值電壓 4V
      最小柵閾值電壓 2V
      最大功率耗散 125 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 ±20 V
      典型柵極電荷@Vgs 28 nC @ 10 V
      長度 6.5mm
      最高工作溫度 +175 °C
      寬度 7mm
      每片芯片元件數目 1
      暫無

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