產(chǎn)品分類

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      Toshiba TK100S04N1L MOSFET

      訂 貨 號(hào):TK100S04N1L      品牌:東芝_Toshiba

      庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價(jià):¥0.00

      環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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      公司基本資料信息







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      Toshiba TK100S04N1L MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      應(yīng)用
      汽車
      開關(guān)穩(wěn)壓器
      電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
      特點(diǎn)
      低漏-源通態(tài)電阻:RDS(接通)= 1.9 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)
      低泄漏電流:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 40 V)
      增強(qiáng)模式:Vth = 1.5 至 2.5 V(VDS = 10 V,ID = 0.5 mA)


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 100 A
      最大漏源電壓 40 V
      封裝類型 DPAK
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 3
      最大漏源電阻值 4.5mΩ
      通道模式 增強(qiáng)
      最大柵閾值電壓 2.5V
      最小柵閾值電壓 1.5V
      最大功率耗散 180 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 ±20 V
      典型柵極電荷@Vgs 76 nC @ 10 V
      寬度 7mm
      長(zhǎng)度 6.5mm
      每片芯片元件數(shù)目 1
      最高工作溫度 +175 °C
      暫無(wú)

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