Infineon SPD02N80C3ATMA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細信息
此款英飛凌 cool mos mosfet 采用全新的創(chuàng)新高電壓技術(shù)、并具有高峰值電流容量 Peak Infineon t1000 可提供高峰
它具有超低柵極電荷
| 屬性 |
數(shù)值 |
| 通道類型 |
N |
| 最大連續(xù)漏極電流 |
2 A |
| 最大漏源電壓 |
800 V |
| 封裝類型 |
DPAK (TO-252) |
| 安裝類型 |
表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 |
3 |
| 最大漏源電阻值 |
2.7. Ω |
| 最大柵閾值電壓 |
3.9V |
| 每片芯片元件數(shù)目 |
1 |