Infineon 功率 mosfet 利用最新的處理技術(shù),可實現(xiàn)每個硅片區(qū)域極低的接通電阻。此設(shè)計的其他特點包括 175°c 結(jié)點工作溫度、快速切換速度和改進的重復(fù)雪崩額定值。這些特點結(jié)合在一起、使此設(shè)計成為一款極其高效和可靠的設(shè)備、適用于汽車應(yīng)用和各種其他應(yīng)用。
先進 Advanced process technology
超低接通電阻快速切換
無鉛,符合 RoHS 標準
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 320 A |
| 最大漏源電壓 | 40 V |
| 封裝類型 | D2PAK - 7pin |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 7 |
| 最大漏源電阻值 | 0.0016. Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
| 晶體管材料 | 硅 |