International Rectifier 的這些 P 溝道 HEXFET 功率 MOSFET 利用最新加工工藝在單位硅面積實(shí)現(xiàn)極低導(dǎo)通電阻。此優(yōu)勢(shì)為設(shè)計(jì)人員提供及其高效地設(shè)備，用于電池和負(fù)載管理應(yīng)用。SO-8 經(jīng)改良通過(guò)自定義引線框增強(qiáng)熱特性和多模能力，特別適合各種電源應(yīng)用。憑借這些改進(jìn)，用戶可以在應(yīng)用中使用多個(gè)設(shè)備，顯著減少板空間。該封裝設(shè)計(jì)用于汽相、紅外線或波峰焊接工藝。

優(yōu)點(diǎn)：
P 溝道 MOSFET