Infineon 雙 n 通道 HEXFET 功率 MOSFET 采用 SO-8 封裝,可重復(fù)雪崩高達(dá) Tjmax。 它具有快速切換速度和無鉛。
它符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)且符合 AEC 標(biāo)準(zhǔn)
它具有 175°C 工作溫度
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 6.9 A |
| 最大漏源電壓 | 30 V |
| 封裝類型 | SO-8 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 0.023. Ω |
| 通道模式 | 增強(qiáng) |
| 最大柵閾值電壓 | 3V |
| 晶體管材料 | 硅 |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 2 |