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      Infineon IPW60R060C7XKSA1 MOSFET

      訂 貨 號:IPW60R060C7XKSA1      品牌:英飛凌_Infineon

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進口

      品牌商價:¥0.00

      環(huán) 球 價: 登陸后可查看

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      Infineon IPW60R060C7XKSA1 MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      Infineon 600V cool mos ? C7 超接點( sj ) mosfet 系列的關(guān)閉損耗( e oss )比 cool mos ? cp 減少 ~50% ,在 pfc 、 ttf 和其他硬切換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中提供卓越的性能。IPL60R185C7 還是高功率密度充電器設(shè)計的完美匹配。效率和 tco (總擁有成本)應(yīng)用,如超數(shù)據(jù)中心和高效電信整流器 (96%)>,得益于 cool mos ? C7 提供的更高效率。可以在 PFC 拓?fù)渲袑崿F(xiàn) 0.3% 至 0.7% 的增益,在 LLC 中實現(xiàn) 0.1% 的增益。例如,對于 2.5kw 服務(wù)器 psu ,使用采用 to-247 4pin 封裝的 600V cool mos ? C7 sj 型功率半導(dǎo)體器件, psu 能量損耗可降低 ~10% 的能耗。

      減小開關(guān)損耗參數(shù),如 Q G、C oss、E oss
      同類最佳的品質(zhì)因數(shù) Q G*R DS(接通)
      增加切換頻率
      全球最佳的 R(接通)*A
      堅固的體二極管


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 35 A
      最大漏源電壓 600 V
      封裝類型 TO-247
      安裝類型 通孔
      引腳數(shù)目 3
      最大漏源電阻值 0.06 Ω
      通道模式 增強
      最大柵閾值電壓 4V
      晶體管材料 Si
      每片芯片元件數(shù)目 1
      暫無

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