Infineon IPW60R037CSFD CoolMOS 超結 MOSFET 是經過優化的設備，專為滿足板載 EV 充電市場領域的需求而定制。得益于低柵極電荷 (Qg) 和改進的切換行為，它可在目標市場中提供最高效率。此外，它還隨附集成快速主體二極管和大幅降低反向恢復電荷 (Qrr) ，可在諧振拓撲中實現最高可靠性。由于具有這些功能， IPW60R037CSFD 符合車載 EV 充電站市場的效率和可靠性標準，并進一步支持高功率密度解決方案。
超快主體二極管
杰出反向恢復電荷 (Qrr)
改進的反向二極管 dv/dt 和 dif/dt 堅固性
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 236 a |
| 最大漏源電壓 | 650 V |
| 封裝類型 | PG-to 247-3. |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 0.037 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4.5V |
| 每片芯片元件數目 | 2 |
