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      Infineon IPA65R190E6XKSA1 MOSFET

      訂 貨 號:IPA65R190E6XKSA1      品牌:英飛凌_Infineon

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價(jià):¥0.00

      環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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      公司基本資料信息







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      Infineon IPA65R190E6XKSA1 MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      Infineon CoolMOS?E6/P6 系列功率 MOSFET

      Infineon 系列的 CoolMOS?E6 和 P6 系列 MOSFET。 這些高效率設(shè)備可用于多種應(yīng)用,包括功率因數(shù)校正 (PFC)、照明和消費(fèi)設(shè)備以及太陽能、電信和服務(wù)器。

      MOSFET 晶體管,Infineon

      Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 20 A
      最大漏源電壓 700 V
      封裝類型 TO-220FP
      安裝類型 通孔
      引腳數(shù)目 3
      最大漏源電阻值 190 mΩ
      通道模式 增強(qiáng)
      最大柵閾值電壓 3.5V
      最小柵閾值電壓 2.5V
      最大功率耗散 34 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 -30 V、+30 V
      寬度 4.85mm
      每片芯片元件數(shù)目 1
      晶體管材料 Si
      長度 10.65mm
      典型柵極電荷@Vgs 73 nC @ 10 V
      最高工作溫度 +150 °C
      暫無

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