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onsemi NTJD1155LT1G MOSFET

訂貨號(hào)：NTJD1155LT1G 品牌：安森美_Onsemi

庫存數(shù)量：10 品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

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雙 N/P 通道 MOSFET，ON Semiconductor

NTJD1155L 是一種雙通道 MOSFET 。該 MOSFET 在單個(gè)封裝中同時(shí)采用 P 和 N 通道，非常適用于低控制信號(hào)，低電池電壓和高負(fù)載電流。N 通道具有內(nèi)部 ESD 保護(hù)功能，可以由低至 1.5V 的邏輯信號(hào)驅(qū)動(dòng)，而 P 通道則設(shè)計(jì)用于負(fù)載切換應(yīng)用。P 信道還采用半溝道技術(shù)設(shè)計(jì)。

特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)：

? ESD 保護(hù)
?超低 RDS P 通道負(fù)載開關(guān)
? V 范圍為 1.8 – 8.0V
?開 / 關(guān)范圍– 1.5 至 8.0V
? SOT363 封裝
?驅(qū)動(dòng)器負(fù)載高達(dá) 1.3A ，電壓為 8V

應(yīng)用：

?高側(cè)負(fù)荷開關(guān)，帶液位移
?移動(dòng)電話
?數(shù)碼相機(jī)
? PDA 的
?媒體播放器

MOSFET 晶體管，ON Semiconductor

屬性	數(shù)值
通道類型	N，P
最大連續(xù)漏極電流	1.3 A
最大漏源電壓	8 V
封裝類型	SOT-363 (SC-88)
安裝類型	表面貼裝
引腳數(shù)目	6
最大漏源電阻值	320 mΩ
通道模式	增強(qiáng)
最大柵閾值電壓	1V
最大功率耗散	400 mW
晶體管配置	N+P 負(fù)載開關(guān)
最大柵源電壓	+8 V
最高工作溫度	+150 °C
每片芯片元件數(shù)目	2
長度	2.2mm
晶體管材料	Si
寬度	1.35mm

暫無

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