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      Fairchild Semiconductor FDP039N08B_F102 MOSFET

      訂 貨 號(hào):FDP039N08B_F102      品牌:IRC

      庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價(jià):¥0.00

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      Fairchild Semiconductor FDP039N08B_F102 MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      PowerTrench? N 通道 MOSFET,超過 60A,F(xiàn)airchild Semiconductor

      半導(dǎo)體 MOSFET 晶體管,半

      在半自動(dòng)模式下, MOSFET 器件的組合相當(dāng)龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進(jìn)的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強(qiáng)型封裝中。
      在半 MOSFET 上,可提供卓越的設(shè)計(jì)可靠性,從降低的電壓峰值和過沖,到降低接點(diǎn)電容和反向恢復(fù)電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統(tǒng)保持較長(zhǎng)的運(yùn)行時(shí)間。


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 171 A
      最大漏源電壓 80 V
      封裝類型 TO-220
      安裝類型 通孔
      引腳數(shù)目 3
      最大漏源電阻值 3.9 mΩ
      通道模式 增強(qiáng)
      最小柵閾值電壓 2.5V
      最大功率耗散 214 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 -20 V、+20 V
      寬度 4.672mm
      最高工作溫度 +175 °C
      典型柵極電荷@Vgs 102 nC @ 10 V
      長(zhǎng)度 10.36mm
      每片芯片元件數(shù)目 1
      暫無

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