產(chǎn)品分類 
         
         
        
         
      
       
      
     
      
   
      
      
       
    
    

   
      
     
      
        
      
         
      
         
      分類：
               
       工業(yè)電氣產(chǎn)品    工業(yè)控制產(chǎn)品    傳感測(cè)量產(chǎn)品    儀表工具產(chǎn)品    工業(yè)電子產(chǎn)品    機(jī)械設(shè)備產(chǎn)品   
      
         
      
       
      
       
      
         
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      onsemi FDG313N MOSFET
      
                  
      
                  
      
                      
       訂  貨 號(hào)：FDG313N        品牌：安森美_Onsemi
      
                      
       庫(kù)存數(shù)量：10                    品牌屬性：進(jìn)口
      
                      
       品牌商價(jià)：￥0.00 
      
                      
       環(huán) 球 價(jià)：
                                     登陸后可查看
                                   
                      
                  
      
                  
      
               
      
               
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      公司基本資料信息
      
   



      

      



      

      
          
   
        
      
        
      
     
      
      
      
           
      
                
        
                   
      • 關(guān)聯(lián)產(chǎn)品 
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      • 替代產(chǎn)品
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      • 產(chǎn)品介紹 
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      • 產(chǎn)品屬性
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      • 相關(guān)資料
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      • 產(chǎn)品評(píng)價(jià)（0）
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               onsemi FDG313N MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息
      

        
        
      

            
            
                
                    
                        
      增強(qiáng)模式 N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor
      
                    
                
                
                
            
                
                
                    
      
                        
                            增強(qiáng)模式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 使用了 Fairchild 的專利高單元密度的 DMOS 技術(shù)進(jìn)行生產(chǎn)。 這種高密度工藝設(shè)計(jì)用于盡量減小通態(tài)電阻，提供耐用可靠的性能和快速切換。 
                        
                    
      
                
                
            

            
            
      
                
            
      

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      
            
        
      

        
        
      

            
            

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      

            
            
                
                    
                        
      半導(dǎo)體 MOSFET 晶體管，半
      
                    
                
                
                
            
                
                
                    
      
                        
                            在半自動(dòng)模式下， MOSFET 器件的組合相當(dāng)龐大，包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進(jìn)的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強(qiáng)型封裝中。
      在半 MOSFET 上，可提供卓越的設(shè)計(jì)可靠性，從降低的電壓峰值和過(guò)沖，到降低接點(diǎn)電容和反向恢復(fù)電荷，以及消除額外的外部組件，從而使系統(tǒng)保持較長(zhǎng)的運(yùn)行時(shí)間。
       
                        
                    
      
                
                
            

            
            
      
                
            
      

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      
            

            

            
        

      
            
      
                屬性
                數(shù)值
            
      
            
                
      
                    通道類型
                    N
                
      
            
                
      
                    最大連續(xù)漏極電流
                    950 mA
                
      
            
                
      
                    最大漏源電壓
                    25 V
                
      
            
                
      
                    封裝類型
                    SOT-363 (SC-70)
                
      
            
                
      
                    安裝類型
                    表面貼裝
                
      
            
                
      
                    引腳數(shù)目
                    6
                
      
            
                
      
                    最大漏源電阻值
                    760 mΩ
                
      
            
                
      
                    通道模式
                    增強(qiáng)
                
      
            
                
      
                    最小柵閾值電壓
                    0.65V
                
      
            
                
      
                    最大功率耗散
                    750 mW
                
      
            
                
      
                    晶體管配置
                    單
                
      
            
                
      
                    最大柵源電壓
                    -8 V、+8 V
                
      
            
                
      
                    每片芯片元件數(shù)目
                    1
                
      
            
                
      
                    寬度
                    1.25mm
                
      
            
                
      
                    典型柵極電荷@Vgs
                    1.64 nC @ 4.5 V
                
      
            
                
      
                    最高工作溫度
                    +150 °C
                
      
            
                
      
                    晶體管材料
                    Si
                
      
            
                
      
                    長(zhǎng)度
                    2mm
                
      
            
        
      
             
      
              
              
              
              
              
              
            
      
            

            
      
          
      

      暫無(wú)
      
          
      
          
      
               
        
      
        
       
   
                   
      
            
      
            
      

      正在載入評(píng)論詳細(xì)...
      
            
      
            
      
        
      
     
      
     
      
   
      
    
      



  
   
   
   
   
      
        
         
    
      
    
  






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