Infineon 新的 OptiMOS ? -T2 具有一系列節能 MOSFET 晶體管，可減少 CO2 并采用電力驅動。 新的 OptiMOS? -T2 產品系列擴展了現有的 OptiMOS? -T 和 OptiMOS? 系列。
OptiMOS? 產品提供高性能封裝，可處理最具挑戰性的應用，在有限空間提供全部靈活性。 這些 Infineon 產品經的設計符合并超過計算機應用中更嚴格的下一代電壓調節標準的能效和功率密度要求。
N 通道 - 增強模式
AEC 合格
MSL1 高達 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作溫度
綠色產品（符合 RoHS 標準）
Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實現更高效率、功率密度和成本效益。需要高質量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業標準的 MOSFET。
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 50 A |
| 最大漏源電壓 | 40 V |
| 封裝類型 | DPAK (TO-252) |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 9.3 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 最小柵閾值電壓 | 2V |
| 最大功率耗散 | 41 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
| 寬度 | 6.22mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 14 nC @ 10 V |
| 長度 | 6.73mm |
| 最高工作溫度 | +175 °C |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 晶體管材料 | Si |
