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      onsemi FDN357N MOSFET

      訂 貨 號:FDN357N      品牌:安森美_Onsemi

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進口

      品牌商價:¥0.00

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      onsemi FDN357N MOSFET
      產(chǎn)品詳細信息

      增強模式 N 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor

      增強模式場效應晶體管 (FET) 使用了 Fairchild 的專利高單元密度的 DMOS 技術進行生產(chǎn)。 這種高密度工藝設計用于盡量減小通態(tài)電阻,提供耐用可靠的性能和快速切換。

      半導體 MOSFET 晶體管,半

      在半自動模式下, MOSFET 器件的組合相當龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標準和耐熱增強型封裝中。
      在半 MOSFET 上,可提供卓越的設計可靠性,從降低的電壓峰值和過沖,到降低接點電容和反向恢復電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統(tǒng)保持較長的運行時間。


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 1.9 A
      最大漏源電壓 30 V
      封裝類型 SOT-23
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 3
      最大漏源電阻值 600 mΩ
      通道模式 增強
      最小柵閾值電壓 1V
      最大功率耗散 500 mW
      晶體管配置
      最大柵源電壓 -20 V、+20 V
      每片芯片元件數(shù)目 1
      最高工作溫度 +150 °C
      晶體管材料 Si
      長度 2.92mm
      寬度 1.4mm
      典型柵極電荷@Vgs 4.2 nC @ 5 V
      暫無

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