產(chǎn)品分類

      當前位置: 首頁 > 工業(yè)電子產(chǎn)品 > 無源元器件 > MOSFET > NMOSFET

      +比較

      Fairchild Semiconductor FQD4P25TM_WS MOSFET

      訂 貨 號:FQD4P25TM_WS      品牌:IRC

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進口

      品牌商價:¥0.00

      環(huán) 球 價: 登陸后可查看

      -
      +

      公司基本資料信息







      • 關聯(lián)產(chǎn)品
      • 替代產(chǎn)品
      • 產(chǎn)品介紹
      • 產(chǎn)品屬性
      • 相關資料
      • 產(chǎn)品評價(0)
      Fairchild Semiconductor FQD4P25TM_WS MOSFET
      產(chǎn)品詳細信息

      QFET? P 通道 MOSFET,F(xiàn)airchild Semiconductor

      Fairchild Semiconductor 的新型 QFET? 平面 MOSFET 使用先進的專利技術為廣泛的應用提供最佳的工作性能,包括電源、PFC(功率因數(shù)校正)、直流-直流轉(zhuǎn)換器、等離子顯示面板 (PDP)、照明鎮(zhèn)流器和運動控制。
      它們通過降低導通電阻 (RDS(on)) 來減少通態(tài)損耗,并通過降低柵極電荷 (Qg) 和輸出電容 (Coss) 來減少切換損耗。 通過使用先進的 QFET? 工藝技術,F(xiàn)airchild 可提供比競爭平面 MOSFET 設備更高的品質(zhì)因素 (FOM)。

      半導體 MOSFET 晶體管,半

      在半自動模式下, MOSFET 器件的組合相當龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標準和耐熱增強型封裝中。
      在半 MOSFET 上,可提供卓越的設計可靠性,從降低的電壓峰值和過沖,到降低接點電容和反向恢復電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統(tǒng)保持較長的運行時間。


      屬性 數(shù)值
      通道類型 P
      最大連續(xù)漏極電流 3.1 A
      最大漏源電壓 250 V
      封裝類型 DPAK
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 3
      最大漏源電阻值 2.1 Ω
      通道模式 增強
      最小柵閾值電壓 3V
      最大功率耗散 45 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 -30 V、+30 V
      寬度 6.22mm
      典型柵極電荷@Vgs 10.3 nC @ 10 V
      長度 6.73mm
      最高工作溫度 +150 °C
      每片芯片元件數(shù)目 1
      晶體管材料 Si
      暫無

      正在載入評論詳細...
      主站蜘蛛池模板: 狠狠做深爱婷婷综合一区| 一区二区三区国产精品 | 国产一区二区三区在线电影| 亚洲a∨无码一区二区| 黑人大战亚洲人精品一区| 精品人妻无码一区二区三区蜜桃一 | 97久久精品一区二区三区| 日本一区二区三区在线视频观看免费 | 福利一区福利二区| 国产情侣一区二区| 99久久精品午夜一区二区| 无码视频一区二区三区在线观看| 色综合久久一区二区三区| 国产在线乱子伦一区二区| 国产精品毛片一区二区三区 | 成人免费视频一区二区| 中文无码一区二区不卡αv| 无码人妻一区二区三区在线视频| 国产成人无码一区二区在线观看| 国产激情一区二区三区| 精品乱码一区内射人妻无码 | 日本不卡一区二区三区| 中文字幕一区二区日产乱码| 视频在线一区二区三区| 精品无码综合一区| 日本高清成本人视频一区| 国产一区二区女内射| 久久国产精品亚洲一区二区| 亚洲乱码国产一区三区| 亚洲一区二区三区无码中文字幕| 蜜桃传媒视频麻豆第一区| 亚洲Av无码一区二区二三区| 亚拍精品一区二区三区| 亚洲av成人一区二区三区在线播放 | 亚洲爆乳精品无码一区二区三区| 中文字幕人妻丝袜乱一区三区 | 色婷婷一区二区三区四区成人网| 亚洲一区精品中文字幕| 麻豆AV无码精品一区二区| 日韩在线一区视频| 一区二区三区四区精品|