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      onsemi FDH45N50F_F133 MOSFET

      訂 貨 號:FDH45N50F_F133      品牌:安森美_Onsemi

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進口

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      onsemi FDH45N50F_F133 MOSFET
      產(chǎn)品詳細信息

      UniFET? N 通道 MOSFET,F(xiàn)airchild Semiconductor

      UniFET? MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高電壓 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通態(tài)電阻,還提供卓越的切換性能和較高雪崩能量強度。 此外,內(nèi)部柵極-源極 ESD 二極管讓 UniFET-II? MOSFET 可以耐受超過 2000V HBM 浪涌應力。
      UniFET? MOSFET 適用于開關電源轉(zhuǎn)換器應用,如功率因數(shù)校正 (PFC)、平板顯示屏 (FPD) 電視電源、ATX(先進技術擴展)和電子燈鎮(zhèn)流器。

      半導體 MOSFET 晶體管,半

      在半自動模式下, MOSFET 器件的組合相當龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標準和耐熱增強型封裝中。
      在半 MOSFET 上,可提供卓越的設計可靠性,從降低的電壓峰值和過沖,到降低接點電容和反向恢復電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統(tǒng)保持較長的運行時間。


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 45 A
      最大漏源電壓 500 V
      封裝類型 TO-247
      安裝類型 通孔
      引腳數(shù)目 3
      最大漏源電阻值 120 mΩ
      通道模式 增強
      最小柵閾值電壓 3V
      最大功率耗散 625 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 -30 V、+30 V
      晶體管材料 Si
      每片芯片元件數(shù)目 1
      典型柵極電荷@Vgs 105 nC @ 10 V
      寬度 15.87mm
      最高工作溫度 +150 °C
      長度 20.82mm
      暫無

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