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      onsemi FDD18N20LZ MOSFET

      訂 貨 號:FDD18N20LZ      品牌:安森美_Onsemi

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進口

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      onsemi FDD18N20LZ MOSFET
      產(chǎn)品詳細信息

      UniFET? N 通道 MOSFET,F(xiàn)airchild Semiconductor

      UniFET? MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高電壓 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通態(tài)電阻,還提供卓越的切換性能和較高雪崩能量強度。 此外,內(nèi)部柵極-源極 ESD 二極管讓 UniFET-II? MOSFET 可以耐受超過 2000V HBM 浪涌應(yīng)力。
      UniFET? MOSFET 適用于開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器應(yīng)用,如功率因數(shù)校正 (PFC)、平板顯示屏 (FPD) 電視電源、ATX(先進技術(shù)擴展)和電子燈鎮(zhèn)流器。

      半導(dǎo)體 MOSFET 晶體管,半

      在半自動模式下, MOSFET 器件的組合相當(dāng)龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標準和耐熱增強型封裝中。
      在半 MOSFET 上,可提供卓越的設(shè)計可靠性,從降低的電壓峰值和過沖,到降低接點電容和反向恢復(fù)電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統(tǒng)保持較長的運行時間。


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 16 A
      最大漏源電壓 200 V
      封裝類型 DPAK (TO-252)
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 3
      最大漏源電阻值 130 mΩ
      通道模式 增強
      最小柵閾值電壓 3V
      最大功率耗散 89 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 -20 V、+20 V
      晶體管材料 Si
      長度 6.73mm
      寬度 6.22mm
      每片芯片元件數(shù)目 1
      最高工作溫度 +150 °C
      典型柵極電荷@Vgs 30 nC @ 10 V
      暫無

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