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      Vishay SI7288DP-T1-GE3 MOSFET

      訂 貨 號(hào):SI7288DP-T1-GE3      品牌:威世_Vishay

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價(jià):¥0.00

      環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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      公司基本資料信息







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      Vishay SI7288DP-T1-GE3 MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      雙 N 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor

      MOSFET 晶體管,Vishay Semiconductor


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 20 A
      最大漏源電壓 40 V
      封裝類型 PowerPAK SO
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 8
      最大漏源電阻值 22 mΩ
      通道模式 增強(qiáng)
      最小柵閾值電壓 1.2V
      最大功率耗散 15.6 W
      晶體管配置 隔離式
      最大柵源電壓 -20 V、+20 V
      每片芯片元件數(shù)目 2
      典型柵極電荷@Vgs 10 nC @ 10 V
      長度 5.99mm
      最高工作溫度 +150 °C
      晶體管材料 Si
      寬度 5mm
      暫無

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