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Infineon BSZ12DN20NS3GATMA1 MOSFET

訂貨號：BSZ12DN20NS3GATMA1 品牌：GAT

庫存數(shù)量：10 品牌屬性：進口

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Infineon OptiMOS?3 功率 MOSFET，100V 及以上

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標準的 MOSFET。

屬性	數(shù)值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	11.3 A
最大漏源電壓	200 V
封裝類型	TSDSON
安裝類型	表面貼裝
引腳數(shù)目	8
最大漏源電阻值	125 mΩ
通道模式	增強
最大柵閾值電壓	4V
最小柵閾值電壓	2V
最大功率耗散	50 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-20 V、+20 V
寬度	3.4mm
長度	3.4mm
晶體管材料	Si
典型柵極電荷@Vgs	6.5 nC @ 10 V
最高工作溫度	+150 °C
每片芯片元件數(shù)目	1

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