產(chǎn)品分類

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      Infineon BSZ12DN20NS3GATMA1 MOSFET

      訂 貨 號(hào):BSZ12DN20NS3GATMA1      品牌:GAT

      庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價(jià):¥0.00

      環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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      公司基本資料信息







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      Infineon BSZ12DN20NS3GATMA1 MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      Infineon OptiMOS?3 功率 MOSFET,100V 及以上

      MOSFET 晶體管,Infineon

      Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 11.3 A
      最大漏源電壓 200 V
      封裝類型 TSDSON
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 8
      最大漏源電阻值 125 mΩ
      通道模式 增強(qiáng)
      最大柵閾值電壓 4V
      最小柵閾值電壓 2V
      最大功率耗散 50 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 -20 V、+20 V
      寬度 3.4mm
      長(zhǎng)度 3.4mm
      晶體管材料 Si
      典型柵極電荷@Vgs 6.5 nC @ 10 V
      最高工作溫度 +150 °C
      每片芯片元件數(shù)目 1
      暫無(wú)

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