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      Vishay SI1922EDH-T1-GE3 MOSFET

      訂 貨 號:SI1922EDH-T1-GE3      品牌:威世_Vishay

      庫存數量:10             品牌屬性:進口

      品牌商價:¥0.00

      環 球 價: 登陸后可查看

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      Vishay SI1922EDH-T1-GE3 MOSFET
      產品詳細信息

      雙 N 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor

      MOSFET 晶體管,Vishay Semiconductor


      屬性 數值
      通道類型 N
      最大連續漏極電流 1.3 A
      最大漏源電壓 20 V
      封裝類型 SOT-363 (SC-88)
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數目 6
      最大漏源電阻值 263 mΩ
      通道模式 增強
      最小柵閾值電壓 0.4V
      最大功率耗散 1.25 W
      晶體管配置 隔離式
      最大柵源電壓 -8 V、+8 V
      每片芯片元件數目 2
      典型柵極電荷@Vgs 1.6 nC @ 8 V
      長度 2.2mm
      晶體管材料 Si
      最高工作溫度 +150 °C
      寬度 1.35mm
      暫無

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