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      Infineon IRF630NSTRLPBF MOSFET

      訂 貨 號(hào):IRF630NSTRLPBF      品牌:意法半導(dǎo)體_ST

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價(jià):¥0.00

      環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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      Infineon IRF630NSTRLPBF MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      N 通道功率 MOSFET 150V 至 600V,Infineon

      Infineon 的分立 HEXFET? 功率 MOSFET 系列包括表面安裝和引線封裝的 N 通道設(shè)備,外形可應(yīng)對(duì)幾乎任何板布局和熱設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。 在整個(gè)范圍內(nèi),基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻減少了傳導(dǎo)損耗,讓設(shè)計(jì)人員可以提供最佳系統(tǒng)效率。

      MOSFET 晶體管,Infineon

      Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 9.3 A
      最大漏源電壓 200 V
      封裝類型 D2PAK (TO-263)
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 3
      最大漏源電阻值 300 mΩ
      通道模式 增強(qiáng)
      最大柵閾值電壓 4V
      最小柵閾值電壓 2V
      最大功率耗散 82 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 -20 V、+20 V
      每片芯片元件數(shù)目 1
      晶體管材料 Si
      長度 10.67mm
      典型柵極電荷@Vgs 35 nC @ 10 V
      最高工作溫度 +175 °C
      寬度 11.3mm
      暫無

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