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      Fairchild Semiconductor FDML7610S MOSFET

      訂 貨 號:FDML7610S      品牌:IRC

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進口

      品牌商價:¥0.00

      環(huán) 球 價: 登陸后可查看

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      Fairchild Semiconductor FDML7610S MOSFET
      產(chǎn)品詳細信息

      PowerTrench? SyncFET? 雙 MOSFET,F(xiàn)airchild Semiconductor

      設計用于盡量減少功率轉(zhuǎn)換的損耗,同時保持極佳的切換性能
      高性能通道技術(shù),RDS(接通)極低
      SyncFET? 得益于高效的肖特基主體二極管
      應用:同步整流直流-直流轉(zhuǎn)換器、電動機驅(qū)動器、網(wǎng)絡負載點低側(cè)開關(guān)

      半導體 MOSFET 晶體管,半

      在半自動模式下, MOSFET 器件的組合相當龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標準和耐熱增強型封裝中。
      在半 MOSFET 上,可提供卓越的設計可靠性,從降低的電壓峰值和過沖,到降低接點電容和反向恢復電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統(tǒng)保持較長的運行時間。


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 40 A, 60 A
      最大漏源電壓 30 V
      封裝類型 MLP
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 8
      最大漏源電阻值 1.2 mΩ, 600 μΩ
      通道模式 增強
      最小柵閾值電壓 1V
      最大功率耗散 2.1 W, 2.2 W
      晶體管配置 串行
      最大柵源電壓 -20 V、+20 V
      典型柵極電荷@Vgs 20 nC @ 10 V,43 nC @ 10 V
      每片芯片元件數(shù)目 2
      最高工作溫度 +150 °C
      長度 3mm
      寬度 4.5mm
      晶體管材料 Si
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