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Infineon IPD180N10N3 G MOSFET

訂貨號：IPD180N10N3 G 品牌：英飛凌_Infineon

庫存數(shù)量：10 品牌屬性：進(jìn)口

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Infineon OptiMOS?3 功率 MOSFET，100V 及以上

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。

屬性	數(shù)值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	43 A
最大漏源電壓	100 V
封裝類型	DPAK (TO-252)
安裝類型	表面貼裝
引腳數(shù)目	3
最大漏源電阻值	33 mΩ
通道模式	增強(qiáng)
最大柵閾值電壓	3.5V
最小柵閾值電壓	2V
最大功率耗散	71 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-20 V、+20 V
典型柵極電荷@Vgs	19 nC @ 10 V
長度	6.73mm
晶體管材料	Si
最高工作溫度	+175 °C
每片芯片元件數(shù)目	1
寬度	6.22mm

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