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      Infineon BSC019N04NSGATMA1 MOSFET

      訂 貨 號:BSC019N04NSGATMA1      品牌:GAT

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進口

      品牌商價:¥0.00

      環(huán) 球 價: 登陸后可查看

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      Infineon BSC019N04NSGATMA1 MOSFET
      產(chǎn)品詳細信息

      IInfineon OptiMOS?3 功率 MOSFET,高達 40V

      OptiMOS?產(chǎn)品提供高效能封裝,以解決最具挑戰(zhàn)性的應用,在有限空間內(nèi)提供完全的靈活性。 這些 Infineon 產(chǎn)品經(jīng)的設計符合并超過計算機應用中更嚴格的下一代電壓調(diào)節(jié)標準的能效和功率密度要求。

      快速切換 MOSFET,用于 SMPS
      優(yōu)化技術,用于直流/直流轉換器
      符合目標應用的 JEDEC1 規(guī)格
      N 通道,邏輯電平
      極佳的柵極電荷 x R DS(on) 產(chǎn)品 (FOM)
      極低導通電阻 R DS(on)
      無鉛電鍍

      MOSFET 晶體管,Infineon

      Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標準的 MOSFET。


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 100 A
      最大漏源電壓 40 V
      封裝類型 PG-TDSON
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 8
      最大漏源電阻值 1.9 mΩ
      通道模式 增強
      最大柵閾值電壓 4V
      最小柵閾值電壓 2V
      最大功率耗散 125 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 -20 V、+20 V
      寬度 5.35mm
      每片芯片元件數(shù)目 1
      最高工作溫度 +150 °C
      晶體管材料 Si
      長度 6.35mm
      典型柵極電荷@Vgs 81 nC @ 10 V
      暫無

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