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      onsemi FDS8949 MOSFET

      訂 貨 號:FDS8949      品牌:安森美_Onsemi

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價(jià):¥0.00

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      onsemi FDS8949 MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      汽車雙 N 通道 MOSFET,F(xiàn)airchild Semiconductor

      Fairchild Semiconductor 提供的解決方案可解決汽車市場的復(fù)雜難題,具有嚴(yán)謹(jǐn)?shù)馁|(zhì)量控制、安全和可靠性標(biāo)準(zhǔn)。

      半導(dǎo)體 MOSFET 晶體管,半

      在半自動(dòng)模式下, MOSFET 器件的組合相當(dāng)龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進(jìn)的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強(qiáng)型封裝中。
      在半 MOSFET 上,可提供卓越的設(shè)計(jì)可靠性,從降低的電壓峰值和過沖,到降低接點(diǎn)電容和反向恢復(fù)電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統(tǒng)保持較長的運(yùn)行時(shí)間。


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 6 A
      最大漏源電壓 40 V
      封裝類型 SOIC
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 8
      最大漏源電阻值 29 mΩ
      通道模式 增強(qiáng)
      最小柵閾值電壓 1V
      最大功率耗散 2 W
      晶體管配置 隔離式
      最大柵源電壓 -20 V、+20 V
      晶體管材料 Si
      最高工作溫度 +150 °C
      長度 5mm
      典型柵極電荷@Vgs 7.7 nC @ 5 V
      每片芯片元件數(shù)目 2
      寬度 4mm
      暫無

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