亚洲国产视频网,国产精品亚洲片在线花蝴蝶,91久久免费视频

分類：: 工業(yè)電氣產(chǎn)品工業(yè)控制產(chǎn)品傳感測量產(chǎn)品儀表工具產(chǎn)品工業(yè)電子產(chǎn)品機械設(shè)備產(chǎn)品

當(dāng)前位置：首頁 > 工業(yè)電子產(chǎn)品 > 無源元器件 > MOSFET > NMOSFET

+比較

onsemi FQU13N06LTU MOSFET

訂貨號：FQU13N06LTU 品牌：安森美_Onsemi

庫存數(shù)量：10 品牌屬性：進口

品牌商價：￥0.00

環(huán) 球價：登陸后可查看

暫無報價

立即購買加入購物車立即詢價我要報價

公司基本資料信息

關(guān)聯(lián)產(chǎn)品
替代產(chǎn)品

QFET? N 通道 MOSFET，11A 至 30A，F(xiàn)airchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor 的新型 QFET? 平面 MOSFET 使用先進的專利技術(shù)為廣泛的應(yīng)用提供最佳的工作性能，包括電源、PFC（功率因數(shù)校正）、直流－直流轉(zhuǎn)換器、等離子顯示面板 (PDP)、照明鎮(zhèn)流器和運動控制。
它們通過降低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 來減少通態(tài)損耗，并通過降低柵極電荷 (Qg) 和輸出電容 (Coss) 來減少切換損耗。通過使用先進的 QFET? 工藝技術(shù)，F(xiàn)airchild 可提供比競爭平面 MOSFET 設(shè)備更高的品質(zhì)因素 (FOM)。

半導(dǎo)體 MOSFET 晶體管，半

在半自動模式下， MOSFET 器件的組合相當(dāng)龐大，包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強型封裝中。
在半 MOSFET 上，可提供卓越的設(shè)計可靠性，從降低的電壓峰值和過沖，到降低接點電容和反向恢復(fù)電荷，以及消除額外的外部組件，從而使系統(tǒng)保持較長的運行時間。

屬性	數(shù)值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	11 A
最大漏源電壓	60 V
封裝類型	IPAK (TO-251)
安裝類型	通孔
引腳數(shù)目	3
最大漏源電阻值	115 mΩ
通道模式	增強
最小柵閾值電壓	1V
最大功率耗散	2.5 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-20 V、+20 V
長度	6.6mm
寬度	2.3mm
最高工作溫度	+150 °C
晶體管材料	Si
典型柵極電荷@Vgs	4.8 nC @ 5 V
每片芯片元件數(shù)目	1

暫無

正在載入評論詳細...

工業(yè)電氣產(chǎn)品

工業(yè)控制產(chǎn)品

傳感測量產(chǎn)品

儀表工具產(chǎn)品

工業(yè)電子產(chǎn)品

機械設(shè)備產(chǎn)品

onsemi FQU13N06LTU MOSFET

公司基本資料信息

推薦商品

QFET? N 通道 MOSFET，11A 至 30A，F(xiàn)airchild Semiconductor

半導(dǎo)體 MOSFET 晶體管，半

新手指南

業(yè)務(wù)合作

物流配送

支付方式

售后服務(wù)

關(guān)于我們