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      Toshiba TK12E60W,S1VX(S MOSFET
      
                  
      
                  
      
                      
       訂  貨 號：TK12E60W,S1VX(S        品牌：東芝_Toshiba
      
                      
       庫存數量：10                    品牌屬性：進口
      
                      
       品牌商價：￥0.00 
      
                      
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               Toshiba TK12E60W,S1VX(S MOSFET
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      MOSFET 晶體管，Toshiba
      
                    
                
                
                
            

            
            
      
                
            
      

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      
            

            

            
        

      
            
      
                屬性
                數值
            
      
            
                
      
                    通道類型
                    N
                
      
            
                
      
                    最大連續漏極電流
                    11.5 A
                
      
            
                
      
                    最大漏源電壓
                    600 V
                
      
            
                
      
                    封裝類型
                    TO-220
                
      
            
                
      
                    安裝類型
                    通孔
                
      
            
                
      
                    引腳數目
                    3
                
      
            
                
      
                    最大漏源電阻值
                    300 mΩ
                
      
            
                
      
                    通道模式
                    增強
                
      
            
                
      
                    最大柵閾值電壓
                    3.7V
                
      
            
                
      
                    最大功率耗散
                    110 W
                
      
            
                
      
                    晶體管配置
                    單
                
      
            
                
      
                    最大柵源電壓
                    -30 V、+30 V
                
      
            
                
      
                    每片芯片元件數目
                    1
                
      
            
                
      
                    最高工作溫度
                    +150 °C
                
      
            
                
      
                    寬度
                    4.45mm
                
      
            
                
      
                    長度
                    10.16mm
                
      
            
                
      
                    晶體管材料
                    Si
                
      
            
                
      
                    典型柵極電荷@Vgs
                    25 nC @ 10 V
                
      
            
        
      
             
      
              
              
              
              
              
              
            
      
            

            
      
          
      

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