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      Toshiba TK12E60W,S1VX(S MOSFET

      訂 貨 號:TK12E60W,S1VX(S      品牌:東芝_Toshiba

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價:¥0.00

      環(huán) 球 價: 登陸后可查看

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      Toshiba TK12E60W,S1VX(S MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      MOSFET 晶體管,Toshiba


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 11.5 A
      最大漏源電壓 600 V
      封裝類型 TO-220
      安裝類型 通孔
      引腳數(shù)目 3
      最大漏源電阻值 300 mΩ
      通道模式 增強
      最大柵閾值電壓 3.7V
      最大功率耗散 110 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 -30 V、+30 V
      每片芯片元件數(shù)目 1
      最高工作溫度 +150 °C
      寬度 4.45mm
      長度 10.16mm
      晶體管材料 Si
      典型柵極電荷@Vgs 25 nC @ 10 V
      暫無

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