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      Fairchild Semiconductor FDPC8016S MOSFET

      訂 貨 號:FDPC8016S      品牌:IRC

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價:¥0.00

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      Fairchild Semiconductor FDPC8016S MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      PowerTrench? 雙 N 通道 MOSFET,F(xiàn)airchild Semiconductor

      SEMis PowerTrench ? MOSFET 是優(yōu)化的電源開關(guān),可提高系統(tǒng)效率和功率密度。它們結(jié)合了小柵電荷,小反向恢復(fù)和軟反向恢復(fù)主體二極管,有助于在交流 / 直流電源中快速切換同步整流。
      PowerTrench? MOSFET 的軟性主體二極管性能可無需緩沖電路或替換更高額定電壓的 MOSFET。

      半導(dǎo)體 MOSFET 晶體管,半

      在半自動模式下, MOSFET 器件的組合相當(dāng)龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進(jìn)的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強型封裝中。
      在半 MOSFET 上,可提供卓越的設(shè)計可靠性,從降低的電壓峰值和過沖,到降低接點電容和反向恢復(fù)電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統(tǒng)保持較長的運行時間。


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 60 A,100 A
      最大漏源電壓 25 V
      封裝類型 電源夾 56
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 8
      最大漏源電阻值 1.9 mΩ, 5.3 mΩ
      通道模式 增強
      最小柵閾值電壓 0.8V
      最大功率耗散 21 W, 42 W
      晶體管配置 串行
      最大柵源電壓 -12 V、+12 V
      每片芯片元件數(shù)目 2
      最高工作溫度 +150 °C
      長度 5.1mm
      典型柵極電荷@Vgs 25 nC @ 10 V,67 nC @ 10 V
      寬度 6.1mm
      晶體管材料 Si
      暫無

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