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      onsemi FDS8960C MOSFET

      訂 貨 號:FDS8960C      品牌:安森美_Onsemi

      庫存數量:10             品牌屬性:進口

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      onsemi FDS8960C MOSFET
      產品詳細信息

      PowerTrench? 雙 N/P 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor

      PowerTrench? MOSFET 是優化的電源開關,可提高系統效率和功率密度。 它們組合了小柵極電荷 (Qg)、小反向恢復電荷 (Qrr) 和軟性反向恢復主體二極管,有助于快速切換交流/直流電源中的同步整流。
      最新的 PowerTrench? MOSFET 采用屏蔽柵極結構,可提供電荷平衡。 利用這一先進技術,這些設備的 FOM(品質因素)顯著低于前一代的 FOM。
      PowerTrench? MOSFET 的軟性主體二極管性能可無需緩沖電路或替換更高額定電壓的 MOSFET。

      半導體 MOSFET 晶體管,半

      在半自動模式下, MOSFET 器件的組合相當龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業標準和耐熱增強型封裝中。
      在半 MOSFET 上,可提供卓越的設計可靠性,從降低的電壓峰值和過沖,到降低接點電容和反向恢復電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統保持較長的運行時間。


      屬性 數值
      通道類型 N,P
      最大連續漏極電流 5 A,7 A
      最大漏源電壓 35 V
      封裝類型 SOIC
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數目 8
      最大漏源電阻值 37 mΩ, 87 mΩ
      通道模式 增強
      最小柵閾值電壓 1V
      最大功率耗散 1.6 W,2 W
      晶體管配置 隔離式
      最大柵源電壓 -25 V、-20 V、+20 V、+25 V
      寬度 3.9mm
      每片芯片元件數目 2
      晶體管材料 Si
      典型柵極電荷@Vgs 5.5 nC @ 5 V,5.7 nC @ 5 V
      最高工作溫度 +150 °C
      長度 4.9mm
      暫無

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