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      onsemi FDS4141 MOSFET

      訂 貨 號(hào):FDS4141      品牌:安森美_Onsemi

      庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價(jià):¥0.00

      環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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      onsemi FDS4141 MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      汽車 P 通道 MOSFET,F(xiàn)airchild Semiconductor

      Fairchild Semiconductor 提供的解決方案可解決汽車市場(chǎng)的復(fù)雜難題,具有嚴(yán)謹(jǐn)?shù)馁|(zhì)量控制、安全和可靠性標(biāo)準(zhǔn)。

      半導(dǎo)體 MOSFET 晶體管,半

      在半自動(dòng)模式下, MOSFET 器件的組合相當(dāng)龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進(jìn)的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強(qiáng)型封裝中。
      在半 MOSFET 上,可提供卓越的設(shè)計(jì)可靠性,從降低的電壓峰值和過(guò)沖,到降低接點(diǎn)電容和反向恢復(fù)電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統(tǒng)保持較長(zhǎng)的運(yùn)行時(shí)間。


      屬性 數(shù)值
      通道類型 P
      最大連續(xù)漏極電流 10.8 A
      最大漏源電壓 40 V
      封裝類型 SOIC
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 8
      最大漏源電阻值 19.9 mΩ
      通道模式 增強(qiáng)
      最小柵閾值電壓 1V
      最大功率耗散 5 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 -20 V、+20 V
      最高工作溫度 +150 °C
      每片芯片元件數(shù)目 1
      長(zhǎng)度 4.9mm
      寬度 3.9mm
      典型柵極電荷@Vgs 19 nC @ 5 V,35 nC @ 10 V
      晶體管材料 Si
      暫無(wú)

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