這是一個 30 V N 通道功率 MOSFET 。
低 RDS （接通）可將傳導損耗降至最低
低柵極電荷
低閾值級別
應用：
便攜式電源轉換器
電池管理
負載 / 電源開關
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 2.4 A |
| 最大漏源電壓 | 30 V |
| 封裝類型 | SOT-23 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 110 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 1.4V |
| 最小柵閾值電壓 | 0.6V |
| 最大功率耗散 | 480 mW |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±12 V |
| 寬度 | 1.4mm |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 典型柵極電荷@Vgs | 4.76 nC @ 4.5 V |
| 長度 | 3.04mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
