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訂 貨 號(hào):NTR4170NT1G 品牌:安森美_Onsemi
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看
這是一個(gè) 30 V N 通道功率 MOSFET 。
低 RDS (接通)可將傳導(dǎo)損耗降至最低
低柵極電荷
低閾值級(jí)別
應(yīng)用:
便攜式電源轉(zhuǎn)換器
電池管理
負(fù)載 / 電源開(kāi)關(guān)
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 2.4 A |
最大漏源電壓 | 30 V |
封裝類型 | SOT-23 |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 110 mΩ |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 1.4V |
最小柵閾值電壓 | 0.6V |
最大功率耗散 | 480 mW |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | ±12 V |
寬度 | 1.4mm |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
典型柵極電荷@Vgs | 4.76 nC @ 4.5 V |
長(zhǎng)度 | 3.04mm |
最高工作溫度 | +150 °C |