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      International Rectifier IRF7739L2TR1PBF MOSFET

      訂 貨 號:IRF7739L2TR1PBF      品牌:TIF

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進口

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      International Rectifier IRF7739L2TR1PBF MOSFET
      產(chǎn)品詳細信息

      DirectFET? 功率 MOSFET,Infineon

      DirectFET? 電源封裝是表面安裝功率 MOSFET 封裝技術(shù)。 DirectFET? MOSFET 是先進切換應(yīng)用中減少能耗同時縮小設(shè)計印跡的解決方案。

      在各個印跡中均具有行業(yè)最低的導(dǎo)通電阻
      封裝電阻極低,盡量減少傳導(dǎo)損耗
      高效雙面冷卻可顯著提高功率密度、降低成本和增加可靠性
      薄型,僅 0.7mm

      MOSFET 晶體管,Infineon

      Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強型保護功能的設(shè)計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 270 A
      最大漏源電壓 40 V
      封裝類型 DirectFET L8
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 11
      最大漏源電阻值 1 mΩ
      通道模式 增強
      最大功率耗散 125 W
      最大柵源電壓 -20 V、+20 V
      每片芯片元件數(shù)目 1
      典型柵極電荷@Vgs 220 nC @ 10 V
      最高工作溫度 +175 °C
      長度 9.15mm
      寬度 7.1mm
      暫無

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