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       工業(yè)電氣產品    工業(yè)控制產品    傳感測量產品    儀表工具產品    工業(yè)電子產品    機械設備產品   
      
         
      
       
      
       
      
         
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      Infineon IRL2910SPBF MOSFET
      
                  
      
                  
      
                      
       訂  貨 號：IRL2910SPBF        品牌：國際整流器_IR
      
                      
       庫存數(shù)量：10                    品牌屬性：進口
      
                      
       品牌商價：￥0.00 
      
                      
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               Infineon IRL2910SPBF MOSFET
      產品詳細信息
      

        
        
      

            
            
                
                    
                        
      N 通道功率 MOSFET 100V，Infineon
      
                    
                
                
                
            
                
                
                    
      
                        
                            Infineon 系列分立 HEXFET? 功率 MOSFET 包括 N 通道設備，采用表面安裝和引線封裝。 形狀系數(shù)可解決大多數(shù)板布局和熱設計挑戰(zhàn)問題。 在整個范圍內，基準導通電阻減少了傳導損耗，讓設計人員可以提供最佳系統(tǒng)效率。 
                        
                    
      
                
                
            

            
            
      
                
            
      

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      
            
        
      

        
        
      

            
            
                
                
                    
      
                        
                            Infineon 100V 單 N 溝道 IR MOSFET 采用 D2-Pak 封裝。D2Pak 是表面安裝功率封裝，能夠適應高達六角 -4 的模具尺寸。在任何現(xiàn)有表面安裝封裝中，它提供最高功率能力和盡可能低的接通電阻。 
                        
                    
      
                
                
            
                
                
                
                    
      
                        
                            Advanced 工藝技術 
      超低接通電阻
      動態(tài) dv/dt 額定值
      快速切換
      完全耐雪崩等級 
                        
                    
      
                
            

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      

            
            
                
                    
                        
      MOSFET 晶體管，Infineon
      
                    
                
                
                
            
                
                
                    
      
                        
                            Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標準的 MOSFET。 
                        
                    
      
                
                
            

            
            
      
                
            
      

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      
            

            

            
        

      
            
      
                屬性
                數(shù)值
            
      
            
                
      
                    通道類型
                    N
                
      
            
                
      
                    最大連續(xù)漏極電流
                    55 A
                
      
            
                
      
                    最大漏源電壓
                    100 V
                
      
            
                
      
                    封裝類型
                    D2PAK (TO-263)
                
      
            
                
      
                    安裝類型
                    表面貼裝
                
      
            
                
      
                    引腳數(shù)目
                    3
                
      
            
                
      
                    最大漏源電阻值
                    26 mΩ
                
      
            
                
      
                    通道模式
                    增強
                
      
            
                
      
                    最大柵閾值電壓
                    2V
                
      
            
                
      
                    最小柵閾值電壓
                    1V
                
      
            
                
      
                    最大功率耗散
                    3.8 W
                
      
            
                
      
                    晶體管配置
                    單
                
      
            
                
      
                    最大柵源電壓
                    -16 V、+16 V
                
      
            
                
      
                    晶體管材料
                    Si
                
      
            
                
      
                    典型柵極電荷@Vgs
                    140 nC @ 5 V
                
      
            
                
      
                    每片芯片元件數(shù)目
                    1
                
      
            
                
      
                    長度
                    10.67mm
                
      
            
                
      
                    最高工作溫度
                    +175 °C
                
      
            
                
      
                    寬度
                    9.65mm
                
      
            
        
      
             
      
              
              
              
              
              
              
            
      
            

            
      
          
      

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