UItraFET? Trench MOSFET 組合了在功率轉換應用中實現基準效率的特性。 該設備可耐受雪崩模式中的高能量，且二極管展現出非常短的反向恢復時間和積累電荷。 為高頻率時的效率、最低 RDS（接通）、低 ESR 和低總柵極電荷和 Miller 柵極電荷進行了優化。
應用：高頻直流-直流轉換器、開關調節器、電動機驅動器、低電壓總線開關和電源管理。
在半自動模式下， MOSFET 器件的組合相當龐大，包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業標準和耐熱增強型封裝中。
在半 MOSFET 上，可提供卓越的設計可靠性，從降低的電壓峰值和過沖，到降低接點電容和反向恢復電荷，以及消除額外的外部組件，從而使系統保持較長的運行時間。
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 3.9 A |
| 最大漏源電壓 | 200 V |
| 封裝類型 | SOIC |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 148 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最小柵閾值電壓 | 2V |
| 最大功率耗散 | 2.5 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
| 寬度 | 3.9mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 33 nC @ 10 V |
| 長度 | 4.9mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 晶體管材料 | Si |
