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訂 貨 號(hào):2N7002KT1G 品牌:安森美_Onsemi
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

2N7002K 是一個(gè)小信號(hào) MOSFET 。此 MOSFET 是單個(gè) N 通道,表面安裝封裝具有 ESD 保護(hù)功能。該 MOSFET 能提高系統(tǒng)效率,并在便攜式應(yīng)用中發(fā)揮巨大作用。
? ESD 保護(hù)
? N 信道
?低 RDS
?無鉛和無鹵素
?排空至電源 -60 V
?提高系統(tǒng)效率
?直流 - 直流轉(zhuǎn)換器
?電平換檔電路
?低側(cè)負(fù)載開關(guān)
?便攜式應(yīng)用,如電話, PDA , DSC ,筆記本電腦和平板電腦。
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 380 mA |
| 最大漏源電壓 | 60 V |
| 封裝類型 | SOT-23 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 2.5 Ω |
| 通道模式 | 增強(qiáng) |
| 最大柵閾值電壓 | 2.3V |
| 最大功率耗散 | 420 mW |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
| 長(zhǎng)度 | 3.04mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 0.7 nC @ 4.5 V |
| 寬度 | 1.4mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 晶體管材料 | Si |