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      onsemi HUF75344P3 MOSFET

      訂 貨 號:HUF75344P3      品牌:安森美_Onsemi

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進口

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      onsemi HUF75344P3 MOSFET
      產(chǎn)品詳細信息

      UltraFET? MOSFET,F(xiàn)airchild Semiconductor

      UItraFET? Trench MOSFET 組合了在功率轉(zhuǎn)換應用中實現(xiàn)基準效率的特性。 該設(shè)備可耐受雪崩模式中的高能量,且二極管展現(xiàn)出非常短的反向恢復時間和積累電荷。 為高頻率時的效率、最低 RDS(接通)、低 ESR 和低總柵極電荷和 Miller 柵極電荷進行了優(yōu)化。
      應用:高頻直流-直流轉(zhuǎn)換器、開關(guān)調(diào)節(jié)器、電動機驅(qū)動器、低電壓總線開關(guān)和電源管理。

      半導體 MOSFET 晶體管,半

      在半自動模式下, MOSFET 器件的組合相當龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標準和耐熱增強型封裝中。
      在半 MOSFET 上,可提供卓越的設(shè)計可靠性,從降低的電壓峰值和過沖,到降低接點電容和反向恢復電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統(tǒng)保持較長的運行時間。


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 75 A
      最大漏源電壓 55 V
      封裝類型 TO-220AB
      安裝類型 通孔
      引腳數(shù)目 3
      最大漏源電阻值 8 mΩ
      通道模式 增強
      最小柵閾值電壓 2V
      最大功率耗散 285 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 -20 V、+20 V
      長度 10.67mm
      晶體管材料 Si
      最高工作溫度 +175 °C
      典型柵極電荷@Vgs 175 nC @ 20 V
      每片芯片元件數(shù)目 1
      寬度 4.7mm
      暫無

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