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onsemi FDG6303N MOSFET

訂貨號：FDG6303N 品牌：安森美_Onsemi

庫存數(shù)量：10 品牌屬性：進口

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在半 MOSFET 上，可提供卓越的設(shè)計可靠性，從降低的電壓峰值和過沖，到降低接點電容和反向恢復(fù)電荷，以及消除額外的外部組件，從而使系統(tǒng)保持較長的運行時間。

屬性	數(shù)值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	500 mA
最大漏源電壓	25 V
封裝類型	SOT-363 (SC-70)
安裝類型	表面貼裝
引腳數(shù)目	6
最大漏源電阻值	770 mΩ
通道模式	增強
最小柵閾值電壓	0.65V
最大功率耗散	300 mW
晶體管配置	隔離式
最大柵源電壓	+8 V
晶體管材料	Si
長度	2mm
最高工作溫度	+150 °C
每片芯片元件數(shù)目	2
典型柵極電荷@Vgs	1.64 nC @ 5 V
寬度	1.25mm

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